NAND Flash

摘錄自鉅亨網 記者謝艾莉 2007/03/08
美林:NAND Q2短缺更嚴重 全球首選新帝、力晶、海力士

美林證券將新帝(SNDK-US;SanDisk)、力晶 (5346-TW)、海力士(000660-KR) 3檔個股列入選,主要是基於:NAND產業復甦、純作DRAM產業的廠商預期將有更大的獲利、成本優勢及低檔價值浮現,至於三星 (005930-KR;Samsung)、 Toshiba(6502-JP)、美光 (MU-US)、爾必達(6665-JP)、南科 (2408-TW),和美林證券首選的DRAM個股相比,吸引力可能要稍稍遜色。

2007年第 2季的價格風險,將會比第 1季來得低;在連續 2季衰退後,今年第 3季NAND產業營收將會成長DRAM/NAND的合併銷售的預期樂觀前景,預估2007年將可成長7%,到了2008年更可成長14%

2007年第 1季,iPhone及可播放影片的 MP3等消費電子產品應用需求下,預期NAND將再出現短缺, OEM廠已表達對NAND第 2季供應情形的憂慮,在供給失衡下,看好NAND的價格將可受惠呈穩定成長。美林預估,全球NAND的晶圓產能 2007-2008年逐季將有個位數的成長幅度,但相較於2005-5006年的10-20%則大為降低。就算日本大廠Toshiba目前正在的運轉第3座其300mm 晶圓廠,可以產能全開,且第2座300mm晶圓正式大量產出,至少還要1年多以後;儘管IM Flash 持續積極擴充資本支出,但產出仍不到全球供應的10%

新帝是全球最大快閃卡製造商,和Toshiba建立JV NAND的良好能力,預期將可從中受惠;力晶和海力士均是成本控制的佼佼者,儘管最近DRAM價格走勢疲弱,但公布的獲利依然呈現 2位數的成長,因此將力晶和海力士列為亞洲DRAM股的首選。

摘錄自 鉅亨網 編譯趙健君 2007/03/08
Intel與Micron合資IM Flash無懼NAND過剩 將持續擴張產能

Intel(INTC-US)與 Micron Technology (MU-US) 合資公司 IM Flash Technologies LLC將持續進行產能擴張計畫。NAND目前的價格「很嚴峻」,但 Intel將永續經營。公司將持續研究產業景氣,如果情況持續惡化,會暫緩產能擴張計畫。

成立於2006年 1月的IM Flash在愛達荷州的 Boise 有一 8吋晶圓廠,位於維吉尼亞州Manassas的12吋廠即將投產,而猶他州Lehi的12吋廠已在上周生產出首批晶圓。規劃中的新加坡12吋廠將於本月動土,預計2008年啟用。Harrison表示,公司的策略是每年啟用一座晶圓廠。IM Flash在去年底宣佈新加坡的建廠計畫後,市場研究公司 Gartner分析師Joe Unsworth警告,其產能擴張計畫可能拖長NAND市場的價格壓力。NAND價格在2006年大跌約60%,2007年持續快速滑落,有些分析師預估今年跌幅將達65%。

Intel 計畫在2006和2007年投資30億美元於非揮發性記憶體技術,IM Flash的擴廠是此計畫的一部份。 Harrison坦承,IM Flash短期內很難獲利。Gartner 分析師Unsworth指出,IM Flash並不是唯一增產的廠商。Toshiba Corp.(6502-JP)和 SanDisk Corp.(SNDK-US)目前正興建他們合資的第4廠(Fab 4),同時提高第 3廠產量。Samsung Electronics (005930-KR)、Hynix Semiconductor (000660-KR)則似乎按兵不動。Unsworth表示:「我們預期,今年底和2008年將有新的需求浮現,吸收大量產能。」他特別點出 Apple的 iPhone手機即將上市,對記憶體容量有很大的需求

Intel 和Micron認為近期的跌價只有短暫的影響,他們對長期的NAND市場很有信心,並認為擴廠將會開花結果。Harrison引述 Intel及其他分析師預估數字,表示非揮發記憶體市場將在2010年成長到 400億美元,較 2006年的200億成長 1倍。同期間,NAND位元數的成長則預期高達7倍。至於短期行情,Harrison說:「我不想預測2008年的價格環境,但我認為市場預期會好轉,不會像今年第 1 季那麼糟。」

摘錄自鉅亨網 記者許政隆 2007/03/07
NAND Flash大廠東芝再投資力成科技 金額2000萬美元

記憶體大廠力成科技 (6239-TW)於今 (7)日再次宣佈,已與日商株式會社東芝達成約2000萬美元之投資協議。先前力成已分別獲得英特爾投資部日本爾必達約計6500萬美元2000萬美元的投資協議。3大全球半導體大廠此次投資,均將參與力成科技私募35億元可轉換公司債,募集資金將全數做為力成科技之運用資本 (working capital),以支援營運持續成長。此次投資之公司,均為力成科技目前提供封測代工服務的主要客戶;而東芝原本就是力成主要法人股東之一

力成科技董事長暨執行長蔡篤恭說明,除資金投入外,力成的主要用意是與像是Toshiba這種世界級的產業領導者建立持續的合作關係。由於與客戶保持緊密的合作承諾,力成預期事業能夠隨著客戶對力成服務需求的發展而明顯成長。

摘錄自鉅亨網 記者葉文義 2007 /03 /06
集邦:NAND Flash農曆年後缺貨 預期高容量價格將續揚

根據集邦科技(DRAMeXchange)報價,上周NAND Flash 現貨市場價格呈現反彈上揚的局勢,尤其是高容量8Gb和16Gb的價格有單日漲幅超過8%的紀錄。NAND Flash 的價格自去(2006)年12月初就因終端需求持續疲軟而一直往下調整,到 2月中旬之前整個NAND Flash市場價格已經往下調整約 50%

這次NAND Flash現貨價格能夠反彈向上,主要是由幾個因素同時交互影響產生:


  • NAND Flash上游供應商為因應去年下半年終端市場需求疲軟與價格持續下滑的現象,從去年第 4 季開始將部分 Fab廠的產能移往生產DRAM,因此從去年 12月開始NAND Flash顆粒可供應到下游業者手中的數量有明顯縮減的跡象出現。
  • 集邦指出,Apple最新產品iPhone預計今年6月在北美市場上市,據聞 Apple已經向上游供應商發出備料通知。iPhone搭載4GB和8GB兩種高容量的規格,讓多數市場人士樂觀看待iPhone上市後對NAND Flash市場所產生的影響。
  • 今年中國農曆新年的 9天假期使許多下游生產記憶卡和隨身碟廠商在新年前所備的庫存水位見底。長假結束,下游廠商開始向上游供應商拿貨,但部份高容量的 NAND Flash顆粒目前正處於缺貨的狀態,使得8Gb和16Gb 的市場價格立刻反彈向上。在目前NAND Flash高容量顆粒的供應量仍處於不足的狀況下,集邦預期市場價格短期內應會持續上漲。

摘錄自 鉅亨網黃欣/綜合外電報導‧2007 / 03 / 2
閃存硬碟輕盈又避震 2008年底將正式與傳統硬碟展開大戰

原 本只用於數位相機、手機,或隨身碟等小型電子產品的NAND,現在已被各家大廠導入在個人電腦的組件上。 SONY (6758-JP)日前推出了一款極輕極小的VAIO家族新成員 Vaio UX Premium,正是使用閃存硬碟來代替傳統硬碟,才大幅縮減尺寸。而Samsung (005930-KR) 今年稍早已發表過Q1 Ultra與 Q30兩款使用 SSD的新款筆記電腦,不過由於 SSD目前價格太高,Samsung 於昨 (19)日在德國漢諾威的 CeBit展覽會中,重新發表了低價版本的Q1,使用的是混合式硬碟。

除了筆記電腦之外,Intel(INTC-US)已於13日宣布推出1GB、2GB、4GB、8GB的四種 SSD硬碟,桌上型電腦和伺服器也可望在未來使用閃存硬碟。此外,還有業界關注,謠言甚囂塵上的Apple (AAPL-US) 閃存筆記電腦,據傳也可能在下半年問世。

目前 SSD價位仍居高不下,使得SONY Vaio UX定價達到2500美元之譜,比使用一般硬碟的類似產品貴了約 500 美元,更比使用混合式硬碟的 Samsung低價版Q1貴了約1200美元。況且,以現行NB或桌上電腦規格而言, SSD 的容量還不夠大。目前10GB SSD的價格,約可買 300 GB的傳統硬碟,相較之下競爭力還有待成長。Samsung 閃存行銷經理 Steve Weinger對媒體表示,以目前的生產狀況,預計 SSD價位在年底可以下降 40-50%左右,而市場上的競爭戰可能在2008年底展開


鉅亨網記者陳美玲 2007 / 03 / 27
集邦科技:NAND 4月上游供應量仍不足 DRAM價5月後將回升

NAND Flash 4月合約價,MLC 4Gb、8Gb、16Gb、32Gb的漲幅在4-7%之間,短期內NAND Flash價格,往下調整的機率不大;DRAM 則因 Vista未能帶動大量換機潮,可能要等到 5月PC出貨旺季,才可能有較明顯回升。

NAND Flash這次合約價格調整,是繼 3月上旬之後,今年第 2次的價格調漲,而且漲幅還在4-7%之間,主要是反應NAND Flash供應端產能開始吃緊的狀況,再加上 MP3廠商近期內積極向各NAND Flash供應商下訂單,為NAND Flash相關應用的商品備料,使得NAND Flash的合約價格做了今年第二次的價格調漲。不過,NAND Flash 在SLC部分,多數容量的價格均維持不變。

多數NAND Flash上游供應商,為了消除因供過於求所帶來的價格下跌命運,某些廠商把可以同時生產NAND Flash 和DRAM的 Fab產能由NAND Flash轉做DRAM,另外只生產NAND Flash的供應商,則將原先預定的擴增產能計畫暫緩,避免破壞NAND Flash的價格。目前NAND Flash價格將不會有太大的變化,因此價格下跌的機率不大。

此外,受到上週合約價大跌 2成的影響,DRAM現貨價近日表現也相對疲弱,分析師表示,DRAM市場需求不振,DDR2現貨價格持續下跌, 3月下旬合約價更出現到 25美元以下。目前 3-4月電腦的出貨量,並未因 Vista 而出現大量換機潮,再加上 4月正值部分美系PC OEM 廠商的季底結帳,因此PC OEM廠商為了財報數字考量不會在這個時點增加DRAM採購量,使得DRAM合約市場需求依舊疲弱。在DRAM價格沒有止跌跡象前,通路商與模組廠都不敢出手。因此DRAM需求回暖必需等到 5月以後隨PC出貨旺季來到,才會有較明顯的回升。


鉅亨網記者葉文義/台北‧2007 / 04 / 11
集邦:DRAM庫存降低有助止跌 NAND短期供應不足 易漲難跌

在DRAM廠低價出清庫存下, 4月上旬合約價格下跌至 22-24美元。而廠商的庫存水位逐漸下降到正常水位後,DRAM產業結構轉趨健康。根據集邦科技 (DRAMeXchange)數據,以 4月上旬的合約價格來看,成本結構偏高的DRAM廠商將蒙受不小的虧損,甚至已接近部份廠商的現金成本。若價格持續下跌,將有部分廠商減少生產DRAM,對於DRAM產業而言價格下滑的空間將會有限。

另一方面,集邦指出,NAND Flash的價格自今年 3 月開始往上調漲後,到目前為止整體市場的價格走勢仍持續向上。若NAND Flash主要供應商的產能短期之間不做任何變動的情形下,整體市場將持續處於缺貨的狀態。因此,集邦認為NAND Flash的市場價格在未來1至2周內應當呈現不易下跌的情況。

上周現貨市場價格在短暫跌深反彈後開始回軟。受到香港及台灣的連續假期影響,市場買氣萎縮。DDR2 512Mb 667MHz維持在2.9美元左右,DDR2 eTT價格下跌至2.65美元。

4 月上旬合約市場價格仍持續下跌,DDR2 512MB普遍成交價格仍在22-24美元左右,下跌幅度約 14-15%左右。換算成顆粒價格約 2.4-2.7美元左右,合約價格已明顯低於現貨價格,連帶影響現貨價格反彈空間。

集邦分析師表示,以整體DRAM產業觀察,部份成本結構偏高的廠商第1季成本仍在3美元以上,以 4月上旬的合約價格來看,成本結構偏高的DRAM廠商將蒙受不小的虧損,甚至已接近部份廠商的cash cost。因此若價格持續下跌,將有部份廠商會考慮減少生產DRAM,對於 DRAM產業而言價格下滑空間將會有限。

根據集邦分析師的觀察,4 月份NAND Flash供應商的產出情況和 3月相同,而使用NAND Flash作為儲存媒介的終端商品,其市場的成長動能並未趨緩。在某 MP3 廠商已經吃下主要供應商的一定產出數量後,其他市場下游的記憶卡、隨身碟、MP3/PMP製造商可取得NAND Flash 貨源的數量明顯減少。但上述幾項終端產品的市場需求在現在這個時間點並未處於冷清的狀況,在此情形下部份下游業者都面臨有訂單入門,卻無足夠原料生產的狀況。

集邦指出,短期內在供應商沒有新增的NAND Flash 產能狀況下,即便有廠商現在計畫調整產能,也需要費時1-2個月以上才能影響市場的供給狀況。若未來1-2個月內NAND Flash的終端市場需求沒有出現太大的變化,可以預期短期內NAND Flash的市場價格仍會處於易漲難跌的格局

摘錄自 鉅亨網編譯趙健君/綜合外電.2007 / 04 / 13
Samsung Elec:IT面板Q3缺貨 DRAM Q2均價將較Q1跌5-10%

Samsung Electronics Co. (005930-KR;三星電子) 公司高層預期,第2季DRAM價格將較第 1 季下跌 5-10%,NAND快閃記憶體 (flash)則可望上漲 20-25%。「儘管預期NAND會有強勁需求,我們不會在今年調整NAND和 DRAM之間的產能配置。」Kang指出, Samsung希望維持在DRAM市場的占有率。

Samsung 也在今天調高今年DRAM出貨成長預估,將位元成長幅度由原估的 90%調升至100%。第 2季位元成長應可達到 25%以上。2007年NAND位元成長則預期可達110%,但第 2季增幅可能只有個位數。

鉅亨網編譯林賴穗/綜合外電‧2007 / 04 / 13
日經新聞:東芝將提升半導體資本支出至1兆日圓以上

東芝(6502-JP)周四宣佈會計年度 2007-2009的 3 年業務計畫,該公司表示將提升該段期間的資本投資至 1.75兆日圓,其中的 1兆多日圓將用於晶片生產。

《日經新聞》東芝態度變得更積極,更關注成長的 徵兆,是該公司計畫在截至2010年 3月的未來 3年,增加資本投資3000億日圓。

研發方面:東芝計畫未來 3年斥資1.29兆日圓,較之前 3年增加1800億日圓,以期將下一代記憶體以及小型燃料電池等產品儘速帶到市場上。

東芝計畫將資本投資的將近 60%用在半導體晶片,因為東芝相信該公司的NAND快閃記憶體晶片市場,每年的成長率將超過 20%。不過因為和南韓三星電子及其他廠商的競爭激烈,東芝預期NAND快閃記憶體的價格,每年將衰退50%

沒有留言:

張貼留言